K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G6NAFR-UHC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BIWE от Samsung Electronics и H5AN8G6NAFR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $5,74 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Рабочая температура | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Корпус | 78-FBGA | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto self-refresh |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| Density | — | 8 Gb |
| Организация памяти | — | 512M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |