K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics e H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $5,74 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de operação | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Encapsulamento | 78-FBGA | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto self-refresh |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| Density | — | 8 Gb |
| Organização da memória | — | 512M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |