K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G6NAFR-UHC 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G6NAFR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $5.74 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| 動作温度 | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| パッケージ | 78-FBGA | FBGA-96 |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CL value] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto self-refresh |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | Yes |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |