K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCPB Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BCPB por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $13,78 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V (nominal) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | — |
| Encapsulado | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Organización de memoria | — | 1G x 8 |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| Tipo de interfaz | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Operating Mode | — | DLL enabled |