K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $13,78 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (nominal) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | — |
| Boîtier | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 8 |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| Type d'interface | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Operating Mode | — | DLL enabled |