K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BIWE von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $13,78 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (nominal) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | — |
| Gehäuse | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| Schnittstellentyp | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Operating Mode | — | DLL enabled |