K4A8G085WB-BIWE vs MT40A1G8SA-075:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics y MT40A1G8SA-075:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BIWE | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $6,30 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | 8Gbit (1G x 8) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | — |
| Encapsulado | 78-FBGA | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Interfaz | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| CRC Function | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |