K4A8G085WB-BIWE vs MT40A1G8SA-075:E 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics および MT40A1G8SA-075:E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WB-BIWE | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $6.30 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| メモリサイズ | 8 Gb | 8Gbit (1G x 8) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度 | 0°C to +85°C | — |
| パッケージ | 78-FBGA | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| インターフェース | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| CRC Function | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |