K4A8G085WB-BIWE vs MT40A1G8SA-075:E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics e MT40A1G8SA-075:E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BIWE | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $6,30 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Tamanho da memória | 8 Gb | 8Gbit (1G x 8) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Temperatura de operação | 0°C to +85°C | — |
| Encapsulamento | 78-FBGA | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| CRC Function | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |