K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics y K4A8G165WC-BCPB por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WC-BCPB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,55 $1,31
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 8 Gb —
Organización de memoria 512M x 16 —
Velocidad de datos 3200 Mbps DDR4-2133 (2133 Mbps/pin)
Tensión de alimentación 1.2 V 1.2 V
Access Time (CAS Latency) 19 ns —
Interfaz Parallel DDR4 (16-bit data bus)
Encapsulado 96FBGA 96-ball FBGA (TFBGA)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C 0C to +95C
Burst Length 8 —
Bank Group Architecture Yes —
On-Die Termination (ODT) Yes, dynamic ODT with ZQ calibration —
Functions Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead Free Yes —
Tamaño de memoria — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Die Generation — C-die (1Y nm class)
Características — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Termination — On-die termination (ODT), dynamic
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM

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