K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCWE von Samsung Electronics und K4A8G165WC-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,55 | $1,31 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Schnittstelle | Parallel | DDR4 (16-bit data bus) |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |