K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4A8G165WC-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.55 | $1.31 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| インターフェース | Parallel | DDR4 (16-bit data bus) |
| パッケージ | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| 特長 | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |