K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCWE par Samsung Electronics et K4A8G165WC-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,55 | $1,31 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Interface | Parallel | DDR4 (16-bit data bus) |
| Boîtier | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |