K4A8G165WB-BIWE vs H5AN8G6NDJR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics y H5AN8G6NDJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BIWE | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,22 | $34,60 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Interfaz | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |