K4A8G165WB-BIWE vs H5AN8G6NDJR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WB-BIWE 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G6NDJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WB-BIWE | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $14.22 | $34.60 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |