K4A8G165WB-BIWE vs H5AN8G6NDJR-UHC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics e H5AN8G6NDJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BIWE | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $14,22 | $34,60 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Interface | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Número de pinos | 96 | — |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |