K4A8G165WB-BIWE vs H5AN8G6NDJR-UHC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BIWE от Samsung Electronics и H5AN8G6NDJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BIWE | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $14,22 | $34,60 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Количество выводов | 96 | — |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |