K4A8G165WB-BIWE vs YZ48G16V-F9HPI-M Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics y YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BIWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Loongtion |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,22 | $8,60 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | FBGA96 |
| Interfaz | Parallel | DDR4 |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pines | 96 | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +85°C |
| Recuento de pines | — | 96 |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |