K4A8G165WB-BIWE vs YZ48G16V-F9HPI-M Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics e YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BIWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Loongtion |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $14,22 | $8,60 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | FBGA96 |
| Interface | Parallel | DDR4 |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 96 | — |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40°C to +85°C |
| Contagem de pinos | — | 96 |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bits |