K4A8G165WB-BIWE vs YZ48G16V-F9HPI-M Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BIWE von Samsung Electronics und YZ48G16V-F9HPI-M von Loongtion. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BIWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Loongtion |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,22 | $8,60 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | FBGA96 |
| Schnittstelle | Parallel | DDR4 |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +85°C |
| Pin-Anzahl | — | 96 |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Datenbusbreite | — | 16 bits |