K4A8G165WB-BIWE vs YZ48G16V-F9HPI-M Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BIWE par Samsung Electronics et YZ48G16V-F9HPI-M par Loongtion. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BIWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Loongtion |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,22 | $8,60 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA96 |
| Interface | Parallel | DDR4 |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +85°C |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Largeur du bus de données | — | 16 bits |