K4A8G165WB-BIWE vs YZ48G16V-F9HPI-M Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BIWE от Samsung Electronics и YZ48G16V-F9HPI-M от Loongtion. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BIWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Loongtion |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $14,22 | $8,60 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | FBGA96 |
| Интерфейс | Parallel | DDR4 |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Количество выводов | 96 | — |
| Диапазон рабочих температур | — | -40°C to +85°C |
| Число выводов | — | 96 |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Разрядность шины данных | — | 16 bits |