K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics y E3AD8G16A4-HR por ELIXIR/NANYA. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WC-BCRC | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | ELIXIR/NANYA |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $23,00 | $8,60 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C (TCASE) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | TFBGA-96 |
| Interfaz | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BC4 optional) |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | 22 |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |