K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WC-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 E3AD8G16A4-HR 제조: ELIXIR/NANYA. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCRC | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | ELIXIR/NANYA |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $23.00 | $8.60 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C (TCASE) |
| 패키지 | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | TFBGA-96 |
| 인터페이스 | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BC4 optional) |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | 22 |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |