K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR 对比

详细并排对比 K4A8G165WC-BCRC 出自 Samsung Electronics 和 E3AD8G16A4-HR 出自 ELIXIR/NANYA。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ 量产中
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A8G165WC-BCRC E3AD8G16A4-HR
品牌 Samsung Electronics ELIXIR/NANYA
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $23.00 $8.60
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
存储组织 512M x 16 512M x 16
数据速率 2400 Mbps 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
VPP Voltage 2.5 V —
工作温度 0°C to +95°C (case) 0C to +95C (TCASE)
封装 96-ball FBGA (9mm x 13mm) TFBGA-96
接口 16-bit I/O —
Banks 16 (4 bank groups) —
Burst Length 8 (BL8) 8 (BC4 optional)
CAS 延迟 Programmable (e.g., 16, 17, 18) 22
Refresh Temperature-compensated self-refresh (TCSR) Auto-refresh and self-refresh
RoHS Compliant Compliant
安装类型 Surface Mount Surface Mount
电源电压 — 1.2 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

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