K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics et E3AD8G16A4-HR par ELIXIR/NANYA. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCRC | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | ELIXIR/NANYA |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $23,00 | $8,60 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 2400 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C (TCASE) |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | TFBGA-96 |
| Interface | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BC4 optional) |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | 22 |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |