K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR 比較

詳細な並列比較: K4A8G165WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics および E3AD8G16A4-HR メーカー: ELIXIR/NANYA。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ 生産中
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G165WC-BCRC E3AD8G16A4-HR
ブランド Samsung Electronics ELIXIR/NANYA
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $23.00 $8.60
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
データレート 2400 Mbps 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
VPP Voltage 2.5 V —
動作温度 0°C to +95°C (case) 0C to +95C (TCASE)
パッケージ 96-ball FBGA (9mm x 13mm) TFBGA-96
インターフェース 16-bit I/O —
Banks 16 (4 bank groups) —
Burst Length 8 (BL8) 8 (BC4 optional)
CASレイテンシ Programmable (e.g., 16, 17, 18) 22
Refresh Temperature-compensated self-refresh (TCSR) Auto-refresh and self-refresh
RoHS Compliant Compliant
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
電源電圧 — 1.2 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

データシート&リソース

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