K4A8G165WC-BCWE vs AS4C512M16D4A-62BCNTR Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WC-BCWE por Samsung Electronics y AS4C512M16D4A-62BCNTR por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE ✓ Activo
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WC-BCWE AS4C512M16D4A-62BCNTR
Marca Samsung Electronics Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $38,00 $8,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organización de memoria 512M x 16 —
Velocidad de datos 3200 Mbps 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
VPP Voltage 2.5 V —
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C —
Encapsulado 96-FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] 18 ns
Burst Length 8 (BL8) / 4 (BC4) —
Number of Banks 16 —
Row Address Bits 16 —
Column Address Bits 10 —
Interfaz Differential (CK, /CK) POD (Pseudo Open Drain)
Estado RoHS Compliant —
JEDEC Standard JEDEC DDR4 —
Tamaño de memoria — 8 Gbit (512M x 16)
Tensión de alimentación — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
Temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C (Commercial)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

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