K4A8G165WC-BCWE vs AS4C512M16D4A-62BCNTR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCWE par Samsung Electronics et AS4C512M16D4A-62BCNTR par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE ✓ Actif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G165WC-BCWE AS4C512M16D4A-62BCNTR
Marque Samsung Electronics Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $38,00 $8,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Débit de données 3200 Mbps 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
VPP Voltage 2.5 V —
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Boîtier 96-FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] 18 ns
Burst Length 8 (BL8) / 4 (BC4) —
Number of Banks 16 —
Row Address Bits 16 —
Column Address Bits 10 —
Interface Differential (CK, /CK) POD (Pseudo Open Drain)
Statut RoHS Compliant —
JEDEC Standard JEDEC DDR4 —
Taille de mémoire — 8 Gbit (512M x 16)
Tension d'alimentation — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
Température de fonctionnement — 0°C to +95°C (Commercial)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

Fiches techniques et ressources

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