K4A8G165WC-BCWE vs AS4C512M16D4A-62BCNTR 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WC-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 AS4C512M16D4A-62BCNTR 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCWE | AS4C512M16D4A-62BCNTR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $38.00 | $8.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C | — |
| 패키지 | 96-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 18 ns |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| 인터페이스 | Differential (CK, /CK) | POD (Pseudo Open Drain) |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| 공급 전압 | — | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Clock Rate | — | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| 동작 온도 | — | 0°C to +95°C (Commercial) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | — | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | — | 3 (168 Hours) |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ns |
| Standard Pack | — | 1500/reel (Tape & Reel) |