K4A8G165WC-BCWE vs AS4C512M16D4A-62BCNTR 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WC-BCWE メーカー: Samsung Electronics および AS4C512M16D4A-62BCNTR メーカー: Alliance Memory。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WC-BCWE | AS4C512M16D4A-62BCNTR |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $38.00 | $8.10 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C | — |
| パッケージ | 96-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 18 ns |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| インターフェース | Differential (CK, /CK) | POD (Pseudo Open Drain) |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| 電源電圧 | — | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Clock Rate | — | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| 動作温度 | — | 0°C to +95°C (Commercial) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | — | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | — | 3 (168 Hours) |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ns |
| Standard Pack | — | 1500/reel (Tape & Reel) |