K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCN Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics y AS4C256M16D3L-12BCN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,32 | $6,00 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 20 ns |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Número de pines | 96 | 96 |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gbit |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Frecuencia de reloj máxima | — | 800 MHz |
| Estilo de montaje | — | SMD/SMT |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0C to +95C (Tc) |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Tipo de interfaz | — | Parallel |