K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics et AS4C256M16D3L-12BCN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,32 | $6,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Débit de données | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 20 ns |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Nombre de broches | 96 | 96 |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Fréquence d'horloge maximale | — | 800 MHz |
| Style de montage | — | SMD/SMT |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0C to +95C (Tc) |
| Sans halogène | — | Yes |
| Type d'interface | — | Parallel |