K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCN Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics и AS4C256M16D3L-12BCN от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $14,32 | $6,00 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Корпус | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 20 ns |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Количество выводов | 96 | 96 |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit |
| Максимальная тактовая частота | — | 800 MHz |
| Способ монтажа | — | SMD/SMT |
| Диапазон рабочих температур | — | 0C to +95C (Tc) |
| Без галогенов | — | Yes |
| Тип интерфейса | — | Parallel |