K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCN Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics e AS4C256M16D3L-12BCN por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $14,32 | $6,00 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Taxa de dados | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Encapsulamento | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 20 ns |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Número de pinos | 96 | 96 |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit |
| Frequência máxima de clock | — | 800 MHz |
| Estilo de montagem | — | SMD/SMT |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0C to +95C (Tc) |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Tipo de interface | — | Parallel |