K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCN 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics および AS4C256M16D3L-12BCN メーカー: Alliance Memory。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 生産中
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCN ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646E-BYMA AS4C256M16D3L-12BCN
ブランド Samsung Electronics Alliance Memory
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $14.32 $6.00
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35 V
Clock Frequency 933 MHz —
データレート 1866 Mbps/pin 1600 Mbps
動作温度 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
パッケージ FBGA-96 96-FBGA (9x13 mm)
実装タイプ Surface Mount —
RoHS Compliant Compliant
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] 20 ns
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] —
ピン数 96 96
メモリサイズ — 4 Gbit
データバス幅 — 16 bit
最大クロック周波数 — 800 MHz
実装スタイル — SMD/SMT
動作温度範囲 — 0C to +95C (Tc)
ハロゲンフリー — Yes
インターフェースタイプ — Parallel

データシート&リソース

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