K4B4G1646E-BYMATCV vs H5TC4G63AFR-PBA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYMATCV por Samsung Electronics y H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYMATCV | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,90 | $3,98 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Número de pines | 96 | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Interfaz | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |