K4B4G1646E-BYMATCV vs H5TC4G63AFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYMATCV par Samsung Electronics et H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYMATCV | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $3,98 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Interface | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |