K4B4G1646E-BYMATCV vs H5TC4G63AFR-PBA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BYMATCV por Samsung Electronics e H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646E-BYMATCV | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,90 | $3,98 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Número de pinos | 96 | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latência CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organização da memória | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Interface | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |