K4B4G1646E-BYMATCV vs H5TC4G63AFR-PBA 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYMATCV メーカー: Samsung Electronics および H5TC4G63AFR-PBA メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYMATCV | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.90 | $3.98 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| データレート | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| 電源電圧 | 1.35 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| ピン数 | 96 | — |
| 動作温度範囲 | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| インターフェース | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |