K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCWM مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH086VB-BCWM توسط Samsung Electronics و K4RAH165VB-BCWM توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دستهبندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $44.55 | — |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| اندازه حافظه | 16 Gb | 16 Gb |
| سازمان | 2G x 8 | — |
| نرخ داده | 5600 Mbps | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.1 V | 1.1 V |
| رابط | DDR5 (parallel) | — |
| بستهبندی | FBGA-82 | FBGA-106 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | DDR5 |
| Speed Grade | BCWM | — |
| دمای کاری | Commercial temperature range (per datasheet) | 0C to +85C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |