K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF55 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K6X0808C1D-BF70 por Samsung Electronics y K6X0808C1D-BF55 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Fin de vida | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,85 | $1,85 |
| Tipo de memoria | Asynchronous SRAM (CMOS) | Asynchronous SRAM |
| Density | 256 Kbit | — |
| Organización de memoria | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Encapsulado | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | 5 V |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| Tamaño de memoria | — | 256 Kbit |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Memory Format | — | SRAM |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |