K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF55 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X0808C1D-BF70 제조: Samsung Electronics 및 K6X0808C1D-BF55 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $1.85 |
| 메모리 유형 | Asynchronous SRAM (CMOS) | Asynchronous SRAM |
| Density | 256 Kbit | — |
| 메모리 구성 | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Technology | CMOS | CMOS |
| 패키지 | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | 5 V |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| 동작 온도 | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| 메모리 크기 | — | 256 Kbit |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Memory Format | — | SRAM |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |