K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF55 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-BF70 par Samsung Electronics et K6X0808C1D-BF55 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Fin de vie | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $1,85 |
| Type de mémoire | Asynchronous SRAM (CMOS) | Asynchronous SRAM |
| Density | 256 Kbit | — |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Boîtier | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | 5 V |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| Taille de mémoire | — | 256 Kbit |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Memory Format | — | SRAM |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |