K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF55 比較
詳細な並列比較: K6X0808C1D-BF70 メーカー: Samsung Electronics および K6X0808C1D-BF55 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 製造終了 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.85 | $1.85 |
| メモリタイプ | Asynchronous SRAM (CMOS) | Asynchronous SRAM |
| Density | 256 Kbit | — |
| メモリ構成 | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Technology | CMOS | CMOS |
| パッケージ | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 電源電圧 | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | 5 V |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| 動作温度 | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| メモリサイズ | — | 256 Kbit |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Memory Format | — | SRAM |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |