K6X1008C2D-TF55 vs K6F3216U6M-EF70T Comparación
Comparación detallada lado a lado de K6X1008C2D-TF55 por Samsung Electronics y K6F3216U6M-EF70T por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ Fin de vida
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K6X1008C2D-TF55 | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Fin de vida | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,35 | $6,10 |
| Tipo de memoria | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Tamaño de memoria | 1 Mbit | 32 Mbit |
| Organización de memoria | 128K x 8 | 2M x 16 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | — |
| Technology | Low Power Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| Encapsulado | 32-TSOP REVERSE | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Estado RoHS | RoHS: Yes (per distributor listing) | NO (per third-party listing) |
| Tensión de alimentación | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |
| Refresh Requirement | — | None (static memory) |