K6X1008C2D-TF55 vs K6F3216U6M-EF70T Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K6X1008C2D-TF55 por Samsung Electronics e K6F3216U6M-EF70T por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ Fim de vida
Comparação de especificações
| Parâmetro | K6X1008C2D-TF55 | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Fim de vida | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,35 | $6,10 |
| Tipo de memória | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Tamanho da memória | 1 Mbit | 32 Mbit |
| Organização da memória | 128K x 8 | 2M x 16 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | — |
| Technology | Low Power Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| Encapsulamento | 32-TSOP REVERSE | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Status RoHS | RoHS: Yes (per distributor listing) | NO (per third-party listing) |
| Tensão de alimentação | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |
| Refresh Requirement | — | None (static memory) |