K6X1008C2D-TF55 vs K6F3216U6M-EF70T 比較
詳細な並列比較: K6X1008C2D-TF55 メーカー: Samsung Electronics および K6F3216U6M-EF70T メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K6X1008C2D-TF55 | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 製造終了 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.35 | $6.10 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| メモリサイズ | 1 Mbit | 32 Mbit |
| メモリ構成 | 128K x 8 | 2M x 16 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | — |
| Technology | Low Power Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| パッケージ | 32-TSOP REVERSE | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| RoHS ステータス | RoHS: Yes (per distributor listing) | NO (per third-party listing) |
| 電源電圧 | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |
| Refresh Requirement | — | None (static memory) |