K6X1008C2D-TF55 vs K6F3216U6M-EF70T Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K6X1008C2D-TF55 от Samsung Electronics и K6F3216U6M-EF70T от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ Снят с производства
Сравнение характеристик
| Параметр | K6X1008C2D-TF55 | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,35 | $6,10 |
| Тип памяти | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Размер памяти | 1 Mbit | 32 Mbit |
| Организация памяти | 128K x 8 | 2M x 16 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | — |
| Technology | Low Power Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| Корпус | 32-TSOP REVERSE | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Статус RoHS | RoHS: Yes (per distributor listing) | NO (per third-party listing) |
| Напряжение питания | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |
| Refresh Requirement | — | None (static memory) |