MT40A256M16LY-062E vs K4A4G165WG-BCWE Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A256M16LY-062E por Micron Technology y K4A4G165WG-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A256M16LY-062E MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A256M16LY-062E K4A4G165WG-BCWE
Marca Micron Technology Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,30 $16,90
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Tamaño de memoria 4 Gbit 4 Gbit
Organización de memoria 256M x16 —
Interfaz Parallel Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range]
Access Time (tAA) 19 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Data Rate Class DDR4-2666 (062E speed grade) —
Encapsulado 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) FBGA-96
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (IT variant) -40C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Write Leveling Yes —
CRC (Command/Address) Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
FBGA Code D9XSG (AUT variant) —
Estado RoHS Compliant (F = RoHS/lead-free finish) Compliant (per JLCPCB listing)
Memory Organization — 256M x 16
Velocidad de datos — 3200 Mbps
Access Time — 19 ns
Tensión de alimentación — 1.2 V
Temperatura de funcionamiento — 0C to +85C
Memory Format — DRAM
Technology — DDR4
Product Status — Active
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh interval]

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